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技術(shù)文章

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RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的應(yīng)用RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）反應(yīng)離子刻蝕機(jī)是一種在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的設(shè)備，它結(jié)合了物理轟擊與化學(xué)反應(yīng)的雙重作用。以下是RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的主要應(yīng)用領(lǐng)域

202411-9
芯片開蓋機(jī)的原理有哪些？芯片開蓋機(jī)，也稱為芯片開封機(jī)，主要用于去除芯片的封裝材料，以便觀察和分析芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時(shí)保持芯片功能的完整性。其工作原理可以根據(jù)不同類型的芯片開蓋機(jī)而有所不同，但總體上可以分為以下幾種類型及其對(duì)應(yīng)的工作原理

202410-29
先進(jìn)封裝：TSV硅通孔與 TGV 玻璃通孔硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）是一種前沿的封裝技術(shù)，通過在硅片中垂直穿透，實(shí)現(xiàn)不同芯片或?qū)又g的功能集成。TSV 主要采用銅等導(dǎo)電材料填充硅通孔，以實(shí)現(xiàn)硅片內(nèi)部的垂直電氣連接。這種技術(shù)能夠減少信號(hào)傳輸?shù)难舆t，降低電容和電感，從而實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗和高速通信，提升帶寬，并滿足器件集成的小型化需求。在此之前，芯片之間的大多數(shù)連接都是水平的，TSV 的誕生讓垂直堆疊多個(gè)芯片成為可能。Wire bonding（引線鍵合）和 Flip-Chip（倒裝焊）的 Bumping（凸點(diǎn)）提供了芯片對(duì)外部的電互連，RDL(再布線)提供了芯片內(nèi)部水平方向的電互連，TSV 則提供了硅片內(nèi)部垂直方向的電互連。

202410-23
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的主要工藝參數(shù)RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的主要工藝參數(shù)涉及射頻源、腔體及刻蝕、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)以及其他多個(gè)方面。這些參數(shù)共同決定了RIE設(shè)備的刻蝕性能和應(yīng)用范圍。

202410-18
熱紅外成像顯微鏡的作用熱紅外成像顯微鏡利用紅外輻射進(jìn)行溫度測(cè)量。一切高于零度的物體都會(huì)發(fā)射紅外輻射，且輻射強(qiáng)度與物體表面溫度有關(guān)。

20248-8
SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)SiP系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package），先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package），兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？

20248-2
X射線技術(shù)在汽車領(lǐng)域的經(jīng)典應(yīng)用包括發(fā)動(dòng)機(jī)和底盤零件等金屬鑄件，以及傳感器、控制系統(tǒng)和輪胎等電子和機(jī)電零件。多樣化材料設(shè)計(jì)、電動(dòng)汽車、自動(dòng)駕駛：在日新月異的汽車行業(yè)，質(zhì)量保證必須不斷迎接全新挑戰(zhàn)。Comet Yxlon 系統(tǒng)和汽車行業(yè)一樣，也在不斷發(fā)展。

20248-1
EMMI微光顯微鏡的綠色成像途徑EMMI微光顯微鏡的綠色成像途徑通過優(yōu)化光子波長范圍和成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體器件缺陷的高效、精準(zhǔn)檢測(cè)。

20247-30
EMMI微光顯微鏡和激光顯微鏡區(qū)別EMMI微光顯微鏡（Emission Microscope，光發(fā)射顯微鏡，也稱為PEM，Photon Emission Microscope）和激光顯微鏡在原理、功能和應(yīng)用上存在一些區(qū)別，以下是詳細(xì)的比較

20248-8
芯片開封機(jī)的維護(hù)保養(yǎng)要點(diǎn)定期使用專門的清潔工具和清潔劑對(duì)芯片開封機(jī)的表面進(jìn)行清潔，以去除灰塵、油污等雜質(zhì)，確保設(shè)備外觀整潔。

20246-26
如何選擇合適的超聲波顯微鏡？不同的領(lǐng)域和行業(yè)對(duì)顯微鏡的要求各不相同。例如，材料科學(xué)領(lǐng)域可能更注重高分辨率和深層穿透能力，而生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域則可能更關(guān)注細(xì)胞的微觀結(jié)構(gòu)和生物組織的彈性特性。

20244-29
RIE反應(yīng)離子刻蝕在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用RIE反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)以其高精度、高效率、高均勻性和良好的選擇性，在半導(dǎo)體工業(yè)中發(fā)揮著不可替代的作用。

20248-7
等離子技術(shù)在芯片失效分析（IC failure analysis）領(lǐng)域的應(yīng)用- 開封（Decap）與去層（Depassivation）失效分析（FA）是利用各種方法檢測(cè)設(shè)備的失效位置和失效模式的技術(shù)。需要及時(shí)反饋有關(guān)這些故障的信息，以提高生產(chǎn)中設(shè)備的質(zhì)量和可靠性。

20241-28
無目鏡光學(xué)技術(shù)助力人造鉆石產(chǎn)業(yè)“鉆石恒久遠(yuǎn)，一顆永流傳”。天然鉆石身價(jià)不菲，隨著市場不斷擴(kuò)大，人造鉆石走進(jìn)人們視野。

202311-1
FIB聚焦離子束加工技術(shù)簡介FIB（Focused Ion Beam）聚焦離子束加工技術(shù)是一種利用高能離子束進(jìn)行納米尺度加工和分析的先進(jìn)技術(shù)。它結(jié)合了離子束刻蝕和掃描電子顯微鏡（SEM）成像的功能，可廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子器件制造、生物醫(yī)學(xué)和納米器件研究等領(lǐng)域。下面將對(duì)FIB聚焦離子束加工技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹。　　原理和設(shè)備： FIB聚焦離子束加工技術(shù)基于高能離子束與材料的相互作用。加速器產(chǎn)生的離子束通過光學(xué)透鏡系統(tǒng)的聚焦，將離子束的能量聚集到納米尺度的小區(qū)域內(nèi)。離子束可以通過改變聚焦強(qiáng)度和掃描方式來實(shí)現(xiàn)局部材料加工和成像。

20238-29

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